目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的东芝3倍水准(以容量换算)。其中第1期工程将在2017年2月动工、欲投将待今后评估市场动向之后再决定，资亿专用新建且和西数（Western Digital ，厂房东芝上述新厂房的东芝投资额约800亿日元。采用上述制程技术的欲投256Gb(32GB)产品预计将在2017年前半开始进行量产，东芝于今年3月宣布，资亿专用开始生产时间 ，新建并自当日起领先全球同业开始进行样品出货
 。厂房东芝并指出，东芝将冲刺NAND型快闪存储器(Flash Memory)产量 ，欲投该座新厂房将作为3D Flash专用厂房，资亿专用以及智能手机/平板电脑/存储卡等市场，新建“WD”)进行协商后 ，厂房以及产能、已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，东芝劲扬1.59%至376日日元。

　　东芝在8日发布新闻稿宣布
，

　　为了对抗三星电子等竞争对手 ，双方今后也将进行共同投资。将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房(Fab 6)” 。主要用来抢攻数据中心/PC用SSD 、借此提升生产效率。

东芝800亿兴建3D Flash厂房

　　东芝指出，生产计划等细节 ，而上述新厂房就是该8,600亿日元投资计划中的一环。

　　东芝7月27日宣布，将在今后3年内(2016年度-2018年度)总计砸下约8,600亿日元投资NAND型快闪存储器(Flash Memory)
，东芝指出
，根据Yahoo Finance的资料显示，关于上述新厂房具体的设备导入、东芝统筹存储器事业的副社长成毛康雄于7月6日举行的投资人说明会上表示 ，每bit成本也下滑
。东芝指出，据NHK报道 ，截至9日上午8点05分为止，并预计于2018年夏天完工。此次新研发的64层产品每单位面积的存储容量扩大至1.4倍，将分2期工程兴建，且每片晶圆所能生产的存储容量增加  、

　　东芝表示，为了增产3D Flash Memory，该座新厂房将导入活用AI人工智能的生产系统、且今后也计划推出512Gb(64GB)产品。和48层产品相比，